2017-11-1

2017年10月30日下午，北京计算科学研究中心魏苏淮教授应国家数学与交叉科学中心邀请在数学院南楼作了题为“Band Structure Engineering and Defect Control of Oxides for Energy Applications” 的综合报告。本次报告会吸引了多位来自数学院及周边高校、研究所的师生，报告会场座无虚席。本次报告会由数学与系统科学研究院计算数学与科学工程计算研究所所长周爱辉研究员主持。

过渡金属氧化物由于其独特的性质，被广泛应用于新能源相关的光电应用中，如太阳能电池等。在该报告中，魏苏淮教授通过第一原理能带结构计算，系统地介绍了氧化物的电学、光学、注入(掺杂)性质，以及背后的本质物理原理，包括：为什么大多数透明导电氧化物材料是n-型的，如何设计氧化物的能带结构使其可以同时掺杂p-型和掺杂n-型；金属氧化物中的氧空穴是不是一有效的内在n-型掺杂；如何构造设计性能优良的透明导电氧化物；如何通过对水光电解法进行缺陷控制来调控氧化物的能带结构等等。魏苏淮教授的精彩的报告为数学、物理学以及材料科学的交叉提供了新的启示与可能。报告会结束后，周爱辉研究员向魏苏淮教授颁发了讲座证书。

魏苏淮教授是国际著名半导体物理与能源材料专家，现任北京计算科学研究中心讲座教授、材料与能源研究部主任，是重点研发项目“环境友好型高稳定性太阳能电池的材料设计与器件研究”首席科学家。魏苏淮教授同时也是美国物理学会会士（APSFellow），美国材料学会会士（MRSFellow）。2015年回国之前，他曾任职于美国再生能源国家实验室，是实验室Fellow，领导理论材料研究组。他发展了全电子FLAPW计算程序，在半导体缺陷、能带计算、掺杂机制、能源材料设计等领域取得了大量原创性且具有国际影响力的科研成果。