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拓扑量子态和拓扑导电材料
【2014.12.3 3:30pm, N202】

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 2014-11-27 

  Colloquia & Seminars 

  Speaker

方忠 研究员 中国科学院物理研究所

  Title

拓扑量子态和拓扑导电材料

  Time

2014.12.3 15:30-17:00

  Venue

N202

  Abstract

在凝聚态物理中,材料中原子和电子的不同构型导致了不同的序,由此产生了材料的各种丰富性质。Landau发展了一套非常一般的对称性破缺理 论来描述这些不同的序。他发现材料中不同的序实际对应于不同的对称性。当构型的对称性发生变化时,就会发生相应的相变。虽然Landau的对称性破缺理论 是非常有用的,但是它不能应用于拓扑量子态——一种由于量子效应所导致的新的电子态。这种量子态是与某些拓扑性质相联系的。拓扑序发生变时,拓扑量子态也 相应变化,但是这些不同的拓扑序的对称性是完全相同的。拓扑,这个本来主要用于数学的词汇,现在已经开始用于描述和分类材料的导电结构,比如拓扑绝缘体、 拓扑半导体、拓扑超导体。拓扑最重要的一个性质是局部形变下的不变性,用物理的语言,即对于环境微扰的不敏感性。这个特性使得拓扑导电材料在未来会有很多 实际的应用。为了刻画拓扑态的序,我们需要引入新的参数,即拓扑不变量。在本报告中,我们将回顾拓扑电子态及相关的量子物理,包括整数阶量子Hall效 应、量子反常Hall效应、分数阶量子Hall效应和拓扑半金属态。我们将用动量空间中的Berry相来讨论拓扑态和拓扑导电材料的拓扑性质。       

  Affiliation

 

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