Speaker

　　Title

　　Time

　　Venue

腾讯会议ID:124-411-711

　　Abstract

　　As the device size shrinks to nanosize scale, the quantum mechanical effect and atomic level fluctuations become important. The traditional TCAD based on continuous medium model will no longer work. There is an urge to develop atomic TCAD. In this talk, I will discuss our effort for atomic TCAD development, especially for large scale >1000 atom calculations. Instead of using the traditional NEGF formalism, we will use the scattering state calculations. I will discuss the mathematic problems in such large system scattering state calculations. We will also have DFT level self-consistent calculations for the insulating layer, which is important when we like to include the defect and single atom effects. 

　　Affiliation

　　汪林望，男，1985年本科毕业于上海交通大学；1991年毕业于美国康奈尔大学，获得理学博士学位。1992-1999年，任职于美国再生能源实验室，分别担任博士后以及研究员职位。1999-2021年，任职于美国劳伦斯伯克利国家实验室，担任研究员与资深研究员职位。2022年至今，担任中国科学院半导体所研究员。

　　汪林望博士主要从事大规模材料计算的算法研究，在半导体低维结构、计算材料科学以及能源材料科学等多方面取得了多项具有国际重要影响力的原创性研究成果，发展了包括已被广泛使用的PEtot、Escan、LCBB、LS3DF等在内的十多种算法和材料计算与器件模拟程序，于2006年荣获美国物理学会会士（APS Fellow），2008年获得国际高性能计算应用领域最高奖“戈登•贝尔”奖。汪林望至今共发表SCI论文400余篇，包括9篇Science和Nature，80余篇PRL、JACS和NanoLett 级别论文。论文总引用次数达33000余次，H-index为90。